电子束曝光系统（扫描电子显微镜）
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2738/次机时次数
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3686/小时总时长
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90/人收藏者
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收费标准
机时500元/小时 -
设备型号
TESCAN VEGA3 SBH -
当前状态
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管理员
刘渊,鲁哲驿,王亦镠,张龙斌 13272488454 -
放置地点
岳麓校区物电楼A108
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
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名称
电子束曝光系统（扫描电子显微镜）
资产编号
1904876S
型号
TESCAN VEGA3 SBH
规格
二次电子分辨率：3nm@30kv,8nm@3kv; 放大倍率：3-1000000倍；二次电子探测器类型：YAG晶体；采用中间镜，可全自动对中。
产地
捷克
厂家
TESCAN
所属品牌
出产日期
购买日期
2019-07-15
所属单位
物理与微电子科学学院
使用性质
科研
所属分类
资产负责人
刘渊
联系电话
13272488454
联系邮箱
yuanliuhnu@hnu.edu.cn
放置地点
岳麓校区物电楼A108
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 样本检测注意事项
- 设备使用相关说明
- 备注
主要规格&技术指标
二次电子分辨率3nm（30kv），8nm（3kv）; 放大倍率3-1000000倍；加速电压0.2-30kv，10v连续可调；钨灯丝电子枪，灯丝使用寿命200h以上；光阑可自动调整；样品室尺寸：内部直径≥160mm，门宽≥120mm，最大样品高度≥36mm；三轴马达自动样品台。样品台移动范围：X≥45mm，Y≥45mm，Z≥27mm，旋转360°，倾斜-90°-90°。具备束斑测量装置及防碰撞报警装置。样品室真空＜9E-3Pa。
主要功能及特色
本电子束光刻机可以实现超高分辨电子束曝光功能，并且具有良好的高分辨成像能力。可在毫米级小样品至8英寸硅片样品上，实现小于8nm结构的加工。设备配备的热稳定性控制系统可保证在稍差环境也能得到所需曝光结果。本曝光系统主要应用于：纳米级光刻；高分辨成像及低电压电子束光刻。
样本检测注意事项
二次电子分辨率：3nm@30kv,8nm@3kv; 放大倍率：3-1000000倍；二次电子探测器类型：YAG晶体；采用中间镜，可全自动对中。
设备使用相关说明
400元/小时
备注
包括电脑及显示器。
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