掩模对准曝光机
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40/人使用者
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1948/次机时次数
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4936.69/小时总时长
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0/次送样次数
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22/人收藏者
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收费标准
机时300元/小时 -
设备型号
MJB4 -
当前状态
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管理员
朱小莉,张海涛 15273113819 13212792073 -
放置地点
岳麓校区两山一湖四栋一楼108
- 仪器信息
- 附件下载
- 公告
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名称
掩模对准曝光机
资产编号
2200940S
型号
MJB4
规格
MJB4
产地
中国
厂家
深圳丁哥电子科技有限公司
所属品牌
出产日期
购买日期
2022-01-12
所属单位
材料科学与工程学院
使用性质
科研
所属分类
资产负责人
朱小莉
联系电话
15273113819,13212792073
联系邮箱
smli@hnu.edu.cn
放置地点
岳麓校区两山一湖四栋一楼108
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 设备使用相关说明
主要规格&技术指标
MJB4手动掩模对准曝光机适用于基底尺寸50-100mm的光刻曝光，主要用于MEMS、先进封装、三维封装、功率器件、化合物半导体、纳米技术和晶圆片级光学系统等领域的光刻应用。
主要功能及特色
功能：SUSS MJB4
技术数据
面罩和面罩/分体
品圆尺寸1至100毫米/4英寸(圆形)
最大基板尺寸100x100毫米
最小件数5x5毫米
品圆厚度最高4毫米
面罩尺寸标准2英寸x2英寸至5英寸x5英寸(半)
厚度最高4.8毫米/190毫米
曝光光学
接触方式:软、硬、真空、软真空
真空接触可调至200 mbarABS
加压，不可调节加压10-50um
洪水暴露，分裂暴露
灯控制模式:恒功率、恒强度
曝光光学
波长范围UV400:350-450纳米(g，h，i-线)砦外线300:280-350纳米新外线250-240-260纳米紫外线250/300/400:240-450纳米
曝光源
CPC: Hg200 W和 Hg 350W灯的恒功率控制器
CIC1200:灯具恒定强度控制器
Hg200瓦、Hg350瓦和HgXE500瓦(深紫外线)
UV-LED光源
同样标准:3.5%
MO曝光光学:2.5%6
分配阶段
宽度x深度
高度660毫
详细情况请见附件！
技术数据
面罩和面罩/分体
品圆尺寸1至100毫米/4英寸(圆形)
最大基板尺寸100x100毫米
最小件数5x5毫米
品圆厚度最高4毫米
面罩尺寸标准2英寸x2英寸至5英寸x5英寸(半)
厚度最高4.8毫米/190毫米
曝光光学
接触方式:软、硬、真空、软真空
真空接触可调至200 mbarABS
加压，不可调节加压10-50um
洪水暴露，分裂暴露
灯控制模式:恒功率、恒强度
曝光光学
波长范围UV400:350-450纳米(g，h，i-线)砦外线300:280-350纳米新外线250-240-260纳米紫外线250/300/400:240-450纳米
曝光源
CPC: Hg200 W和 Hg 350W灯的恒功率控制器
CIC1200:灯具恒定强度控制器
Hg200瓦、Hg350瓦和HgXE500瓦(深紫外线)
UV-LED光源
同样标准:3.5%
MO曝光光学:2.5%6
分配阶段
宽度x深度
高度660毫
详细情况请见附件！
设备使用相关说明
校内：300元/小时
校外：500元/小时独立机组：0元/小时
院内：150元/小时
校外：500元/小时独立机组：0元/小时
院内：150元/小时
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