低温强磁高频信号测量仪(探针台)
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179/次机时次数
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1348/小时总时长
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80/人收藏者
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收费标准
机时100元/小时 -
设备型号
CRX-VF -
当前状态
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管理员
张阳 18846178905 -
放置地点
岳麓校区创新大楼一层114显微成像实验室三
- 仪器信息
- 预约资源
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- 公告
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名称
低温强磁高频信号测量仪(探针台)
资产编号
2500114S
型号
CRX-VF
规格
产地
厂家
LakeShore
所属品牌
LakeShore
出产日期
购买日期
所属单位
分析测试中心
使用性质
科研
所属分类
物性测量
资产负责人
张阳
联系电话
18846178905
联系邮箱
放置地点
岳麓校区创新大楼一层114显微成像实验室三
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 设备使用相关说明
主要规格&技术指标
1. 温度范围:10K-500K,单冷头制冷机闭循环制冷。
2. 探针臂配置:4个直流探针臂,可进行直流到50MHz的射频测量,探针臂的漏电流要求小于100fA,整体带有50欧姆的匹配阻抗;2个微波臂,室温端采用1.85mm型接头,低温端采用GSG微波探针,支持到67GHz的微波信号激励和测量。
3. 磁场其它性能:① 50mm内磁场与样品座成90°,②.全磁场范围此探针落针分辨率优于5μm。③.基础温度和高温磁场指标:<10K@2.5T@6个臂;400K-500K@1T@6个臂。
4. 温控系统:①两台336温控仪,具有4通道独立输入和两通道分别为50W和100W的加热输出。②.样品台上带有校准的砷化镓温度传感器和50W加热器。③.超导磁体带有校准的Cernox传感器和100W加热器。④.防辐射屏上带有标准硅二极管传感器和50W低温高精度专用加热器。⑤.二级冷头带有A级硅二极管传感器。⑥.一级冷头上带有标准硅二极管传感器和100W低温高精度专用加热器。⑦.探针臂上带有一个标准的SD封装硅二极管传感器。
5. 显微镜系统:①.光学分辨率优于3.1µm; ②.带有同轴光和环形光两种光源。
6. CV选件:包含一套CV测试选件,增加了S-2T探头及C-V线缆等,在高达1兆赫的CV测量中,其开路/短路补偿可以有效的校正测量平台的影响。
7 霍尔测试模块:①.电阻测量范围:10mΩ-1GΩ;②.迁移率测量范围:10-2-106cm2/Vs;③.载流子浓度范围:800/cm3 to 8×1023/cm3;④.霍尔测量方法:FastHall 测试法(无物理反转磁场)、传统DC磁场测试方法(范德堡样品);
8半导体器件分析仪模块:①.模块化设计,可以扩展,插槽数不少于10个。②.半导体器件分析仪包含3个高分辨率源/测量单元;③.高分辨率源/测量单元的最小电流测量分辨率≤1fA;④.高分辨率源/测量单元的最小电压测量分辨率≤0.5 μV。
9阻抗分析仪模块:①.频率范围:20Hz至10MHz;②.基本阻抗测试精度(典型值):≤±0.045%; ③..阻抗测量范围(10% 测量精度范围):25 mΩ 至 40 MΩ ④.可扫描参数包括:频率、 信号电压、 信号电流、 直流偏置电压、 直流偏置电流等;
10 矢量网络分析仪模块:①.主机频率范围10MHz到67GHz,2端口;②.动态范围典型值可达139dB@1 GHz;③.端口输出功率范围:–80dBm到+16dBm(典型值+20dBm)(10MHz到4GHz),–80dBm到+13dBm(典型值+18dBm)(4GHz到20GHz),–80dBm到+12dBm(典型值+15dBm)(20GHz到25GHz);④. 功率扫描范围可达80dB;⑥. 原装DC到67GHz校准件一套,高精度柔性稳相线缆两根;⑦. 相位轨迹噪声/°(RMS@1KHz IFBW):0.006(40GHz到67GHz);⑧. 幅度轨迹噪声/dB(RMS@1KHz IFBW):0.001(50MHz到43.5GHz);
11同步源表模块:①.通道数量:4通道,最高支持六个模块配套使用;②.同步时序:所有通道同步速率为375KHz(2.67μs);③.源通道功能:直流,正弦,三角形(最高5kHz),正 方形(最多5kHz);④.源通道频率范围:100µHz至100kHz;⑤.测量通道功能:直流,交流(RMS,峰值),或锁定(X和Y、R和Θ)
12可调单色光源:①.1000W氙灯光源,含氙灯灯泡、光源室及稳压电源;②.短焦距高光通量单色仪,可安装2块光栅,可自动切换;③.单色仪焦距≤200mm,配电动滤光片轮和光源与单色仪光学耦合装置;
2. 探针臂配置:4个直流探针臂,可进行直流到50MHz的射频测量,探针臂的漏电流要求小于100fA,整体带有50欧姆的匹配阻抗;2个微波臂,室温端采用1.85mm型接头,低温端采用GSG微波探针,支持到67GHz的微波信号激励和测量。
3. 磁场其它性能:① 50mm内磁场与样品座成90°,②.全磁场范围此探针落针分辨率优于5μm。③.基础温度和高温磁场指标:<10K@2.5T@6个臂;400K-500K@1T@6个臂。
4. 温控系统:①两台336温控仪,具有4通道独立输入和两通道分别为50W和100W的加热输出。②.样品台上带有校准的砷化镓温度传感器和50W加热器。③.超导磁体带有校准的Cernox传感器和100W加热器。④.防辐射屏上带有标准硅二极管传感器和50W低温高精度专用加热器。⑤.二级冷头带有A级硅二极管传感器。⑥.一级冷头上带有标准硅二极管传感器和100W低温高精度专用加热器。⑦.探针臂上带有一个标准的SD封装硅二极管传感器。
5. 显微镜系统:①.光学分辨率优于3.1µm; ②.带有同轴光和环形光两种光源。
6. CV选件:包含一套CV测试选件,增加了S-2T探头及C-V线缆等,在高达1兆赫的CV测量中,其开路/短路补偿可以有效的校正测量平台的影响。
7 霍尔测试模块:①.电阻测量范围:10mΩ-1GΩ;②.迁移率测量范围:10-2-106cm2/Vs;③.载流子浓度范围:800/cm3 to 8×1023/cm3;④.霍尔测量方法:FastHall 测试法(无物理反转磁场)、传统DC磁场测试方法(范德堡样品);
8半导体器件分析仪模块:①.模块化设计,可以扩展,插槽数不少于10个。②.半导体器件分析仪包含3个高分辨率源/测量单元;③.高分辨率源/测量单元的最小电流测量分辨率≤1fA;④.高分辨率源/测量单元的最小电压测量分辨率≤0.5 μV。
9阻抗分析仪模块:①.频率范围:20Hz至10MHz;②.基本阻抗测试精度(典型值):≤±0.045%; ③..阻抗测量范围(10% 测量精度范围):25 mΩ 至 40 MΩ ④.可扫描参数包括:频率、 信号电压、 信号电流、 直流偏置电压、 直流偏置电流等;
10 矢量网络分析仪模块:①.主机频率范围10MHz到67GHz,2端口;②.动态范围典型值可达139dB@1 GHz;③.端口输出功率范围:–80dBm到+16dBm(典型值+20dBm)(10MHz到4GHz),–80dBm到+13dBm(典型值+18dBm)(4GHz到20GHz),–80dBm到+12dBm(典型值+15dBm)(20GHz到25GHz);④. 功率扫描范围可达80dB;⑥. 原装DC到67GHz校准件一套,高精度柔性稳相线缆两根;⑦. 相位轨迹噪声/°(RMS@1KHz IFBW):0.006(40GHz到67GHz);⑧. 幅度轨迹噪声/dB(RMS@1KHz IFBW):0.001(50MHz到43.5GHz);
11同步源表模块:①.通道数量:4通道,最高支持六个模块配套使用;②.同步时序:所有通道同步速率为375KHz(2.67μs);③.源通道功能:直流,正弦,三角形(最高5kHz),正 方形(最多5kHz);④.源通道频率范围:100µHz至100kHz;⑤.测量通道功能:直流,交流(RMS,峰值),或锁定(X和Y、R和Θ)
12可调单色光源:①.1000W氙灯光源,含氙灯灯泡、光源室及稳压电源;②.短焦距高光通量单色仪,可安装2块光栅,可自动切换;③.单色仪焦距≤200mm,配电动滤光片轮和光源与单色仪光学耦合装置;
主要功能及特色
低温强磁高频信号测量仪为材料以及早期的电子器件的非破坏电学测量提供了精确的可控环境。此套系统可以直接实现半导体材料/器件的IV,CV曲线,射频,微波,光电,霍尔测试等测试。即此套系统可进行方便的,可重复的测量,包括样品在整个温度范围内的IV和CV曲线测试,霍尔测试,光电测试和微波响应等综合分析测试
设备使用相关说明
待定
预约资源
附件下载
公告
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