离子束溅射沉积设备
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8/人使用者
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43/次机时次数
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636.55/小时总时长
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0/次送样次数
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7/人收藏者
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收费标准
机时203元/小时 -
设备型号
AS4 -
当前状态
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管理员
段辉高,刘卿 15211044249 -
放置地点
岳麓校区两山一湖
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
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名称
离子束溅射沉积设备
资产编号
1908341S
型号
AS4
规格
无
产地
中国
厂家
极智芯（北京）科技有限公司
所属品牌
出产日期
2019-04-08
购买日期
2019-04-08
所属单位
机械与运载工程学院
使用性质
科研
所属分类
资产负责人
段辉高 刘卿
联系电话
15211044249
联系邮箱
duanhg@hnu.edu.cn
放置地点
岳麓校区两山一湖
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 设备使用相关说明
主要规格&技术指标
与其它CVD和PVD薄膜技术相比，具有薄膜材料最普遍适用性，包括金属、非金属、合金、化合物和其它任何固体材料;具有最高的材料利用率和最高纯度制膜能力:本系统适合于最大φ100mm (样品尺寸向下兼容)样品的制备。系统备有多种措施用以改善薄膜均匀度，φ100 mm范围内薄膜厚度不均匀性误差≤土2%;极限真空度:无冷阱、不烘烤状态下，系统极限真空度≤8.5X10-5 Pa,系统真空检漏漏率:≤6.67X10-8Pa·L/s;系统充干燥氮气破除真空，从大气压状态下开始抽气，40分钟内真空度可达5X10 Pa;批次内离子束流和离子能量稳定度RMS测试值不超过士1%/h,不同批次间工艺重复性95%以上;
主要功能及特色
该系统为双离子束辅助溅射薄膜沉积系统，可用于溅射沉积各种金属、非金属、合金、化合物及半导体材料的单层薄膜、多层薄膜，也可将单质材料通过反应合成氧化物、氮化物、碳化物等薄膜。
设备使用相关说明
604元/小时，校内用户按照校外用户价格的50%收费
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