感应耦合等离子体刻蚀系统
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2824/小时总时长
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收费标准
机时校内：350元 /小时 ；校外：700元/小时 -
设备型号
Plasmalab 133 ICP380 -
当前状态
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管理员
李晟曼,朱小莉,吴海锋 18296734240 13212792073 -
放置地点
岳麓校区两山一湖四栋一楼
- 仪器信息
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- 公告
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名称
感应耦合等离子体刻蚀系统
资产编号
2214476S
型号
Plasmalab 133 ICP380
规格
Plasmalab 133 ICP380
产地
中国
厂家
OXFORD
所属品牌
出产日期
购买日期
2022-12-01
所属单位
材料科学与工程学院
使用性质
科研
所属分类
资产负责人
李晟曼
联系电话
18296734240,13212792073
联系邮箱
wuhf1206@163.com
放置地点
岳麓校区两山一湖四栋一楼
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 设备使用相关说明
主要规格&技术指标
1、ICP功率：<2000W; 2、RF功率：<800W; 3、样品尺寸：4英寸向下兼容； 4、腔体温度：-10℃-20℃； 5、刻蚀气体：Ar、CF4、O2、BCl3、Cl2；6、可刻蚀材料：GaN、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物，Si、SiO2，Al2O3和HfO2介质材料。
主要功能及特色
一、典型应用场景：Ⅲ-Ⅴ族化合物、硅及其氧化物、氧化铝和氧化哈等材料刻蚀。二、原理：在低真空气压下，通入反应气体，利用ICP射频电源产生射频将其耦合辉光放电，产生高活性等离子体，在下电极RF射频作用下，这些等离子定向移动到基片与半导体材料发生化学反应，生成挥发性物质以气体形式从真空管路被抽走，也有一定的物理刻蚀作用。在作业过程中，通过调控ICP和RF射频电源的电压大小，可产生不同浓度的等离子体浓度以及不同大小的加速电压，以获得更高的刻蚀速率，更好的各向异性刻蚀。三、备注：1、预约请备注刻蚀/掩膜材料，刻蚀厚度；2、金属不可作刻蚀掩膜材料； 3、预约审核通过后，与管理员提前预约时间刻蚀； 4、特殊工艺请联系管理员。
设备使用相关说明
校内：350元/小时，校外：700元/小时
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